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Efficient and Pure I-III-VI AIGS Quantum Dot-Based Light-Emitting Diodes via Ligand-Reshaped Surface State
Leimeng Xu, Jianpeng Zhao, Jindi Wang, Jisong Yao, Shalong Wang, Zhi Wu & Jizhong Song*
Nano-Micro Letters (2026)18: 242
https://doi.org/10.1007/s40820-026-02086-y
本文亮点
本研究提出了一种配体重构(Ligand-Reshaped, LR)策略,利用多功能配体二巯基丁二酸(DSA)的双位点结合特性,高效修复AIGS量子点表面,成功实现了以下两大突破:
2.电学性能突破:DSA替代了传统的长链油胺配体,显著改善了QD薄膜的导电性,提升了载流子注入效率,最终实现了8.4%外量子效率(EQE)的QLED器件,为目前AIGS体系QLEDs的最高纪录。

研究背景
近年来,量子点发光二极管(QLEDs)因其卓越的色彩纯度、广色域和低成本优势,已成为新一代显示技术的重要候选者。尽管基于含镉(Cd)和钙钛矿的QLED已取得显著进展,但其毒性问题限制了其在实际应用中的推广。因此,开发无重金属、环境友好的量子点材料与器件成为当前的研究热点。
银铟镓硫(AIGS)量子点因其无毒性、可调谐发光波长和直接带隙特性,在无重金属量子点材料领域,受到了极大的关注。然而,AIGS量子点在QLEDs中的应用仍面临两大瓶颈:其一,其发光半高宽(FWHM)通常超过50 nm,色纯度不足;其二,外量子效率(EQE)普遍低于1%,远低于传统含镉量子点。这些问题主要源于缺陷态引起的非辐射复合和施主-受主对(DAP)复合,严重制约了其在高清显示和高质量照明中的发展。
内容简介
郑州大学宋继中等人针对无重金属AIGS量子点表面存在未配位Ga³⁺和硫空位缺陷,导致其发光半高宽过宽(>50 nm)、量子产率偏低(<80%),进而使AIGS基QLEDs外量子效率普遍低于1%的关键科学问题,提出了一种配体重构策略。该策略引入多功能配体二巯基丁二酸(DSA),利用其羧基和巯基与表面Ga³⁺强配位,同时填补硫空位,实现对表面缺陷的有效钝化。DSA处理显著抑制了施主-受主对复合和非辐射复合通道,优化了载流子复合路径;同时,短链DSA替代长链油胺配体,改善了QD薄膜的电学输运特性。结果表明,处理后AIGS量子点的光致发光量子产率从30%提升至89%,半高宽从37 nm压缩至31 nm;基于此构建的QLEDs实现了峰值8.4%的EQE,创下AIGS体系QLEDs的最高纪录,为无重金属量子点在显示与照明领域的应用点燃了希望。
图文导读
I配体表面重构修复表面缺陷调控载流子复合
AIGS量子点表面的S易丢失形成空位并产生未配位Ga³⁺,从而给DAP复合和非辐射复合提供通道,造成了AIGS宽的发光光谱和低的发光效率,使得QD发光颜色不纯,不利于高清显示。图1a示意了AIGS量子点在配体重构前后的复合过程变化。引入DSA配体后,DSA配体中的羧基和巯基与表面Ga³⁺的吸附能(0.96 eV和1.08 eV)显著高于原始油胺配体(0.76 eV),可以修复量子点表面,FTIR光谱证实DSA成功锚定于QD表面,而XPS中Ga 3d峰位偏移和S 2p峰位分裂则直接证明了Ga³⁺与DSA官能团的配位键形成以及硫空位的填补。EPR信号的减弱进一步佐证了表面缺陷态的减少。该系列证据共同确立了DSA作为“表面修复剂”的核心作用——它不仅物理吸附于表面,更通过化学键合主动参与表面晶格重构,为后续性能提升提供了结构基础。

图1. AIGS量子点表面状态和配体表面重构抑制DAP和非辐射复合的示意图。
II 配体重构对量子点微结构影响
图2通过多尺度结构表征,揭示了DSA处理的选择性作用。TEM和HRTEM图像显示,处理前后量子点尺寸、形貌和晶面间距均未发生改变,XRD图谱也保持原有的特征衍射峰,证明DSA处理未扰动量子点的体相晶格。EDS元素面分布显示各元素均匀分布,表明DSA未引发元素偏析或相分离。ICP-MS中S元素比例的微量增加,印证了DSA位于QD表面并补充了硫元素。这些结果共同表明,DSA的作用被精确限制在表面原子层范围内,实现了“表面修复而不伤体相”的改性效果,为同时保持QD本征光学性质和优化表面状态提供了可能。

图2. 配体表面重构对AIGS量子点结构的影响。
III AIGS量子点的光学性能提升
图3从发光效率、光谱线型、载流子动力学和带尾态四个层面,揭示了DSA处理对光学性能的提升机理。PLQY从30%跃升至89%,表明非辐射复合被大幅抑制;FWHM从37 nm压缩至31 nm且DAP相关尾峰消失,证明DAP复合通道被有效阻断。TRPL三指数拟合显示,与缺陷相关的快衰减组分和与DAP相关的慢衰减组分占比下降,而带-空穴辐射复合组分占比提升,直接量化了复合路径的重新分配。Urbach能从77 meV降至60 meV,从带尾态角度印证了缺陷密度的降低。微区PL mapping显示的发光均匀性提升,则为构建大面积高性能器件提供了保障。这些结果共同表明,表面缺陷是AIGS量子点性能受限的根源,而DSA处理正是通过“斩断两条损耗通道”实现了效率与纯度的同步提升。

图3. 配体表面重构对AIGS量子点光学性能影响。
IV 载流子复合动力学的深入分析
图4通过变温PL和飞秒瞬态吸收光谱,从热力学和超快动力学两个维度深入揭示了DSA处理对载流子行为的调控机制。变温PL光谱显示,钝化前,QDs在低温下DAP复合峰显著增强,这是缺陷态参与发光的典型特征;而LR后,QDs中这一现象被大幅抑制。Arrhenius拟合中非辐射相关参数A值的降低,表明非辐射复合中心得到抑制。飞秒TA光谱进一步揭示了超快时间尺度上的变化:LR QDs的光漂白信号衰减显著减缓,表明激子被更有效地束缚于辐射复合通道而非耗散于缺陷态。GSB动力学的三指数拟合结果与TRPL高度吻合,从不同时间尺度上交叉验证了复合路径的重新分配。这些结果证明,DSA处理不是简单的表面“贴膏药”,而是从根本上重构了载流子的复合动力学网络。

图4. 配体表面重构对载流子复合动力学影响。
V AIGS量子点的电学性能与缺陷分析
图5从宏观电导、微观局域电流、缺陷态密度和动态响应四个层面,系统揭示了DSA处理对电学性能的优化机制。I-V曲线和导电AFM显示LR QDs薄膜电导率显著提升,直观证明短链DSA替代长链油胺有效缩短了量子点间距,增强了载流子隧穿概率。SCLC测试定量表明电子陷阱密度降低了近30%,证实表面缺陷钝化直接减少了载流子捕获。瞬态光电流响应加快,表明缺陷相关的捕获/去捕获过程被抑制,载流子得以快速通过器件。C-V曲线中峰值电容向低电压偏移,从器件层面证实了载流子注入和复合效率的提升。这些结果共同揭示了一个关键机制:DSA处理同时实现了“减阻”(降低陷阱密度)和“开路”(缩短输运距离)的双重效果,为高效电致发光器件奠定了基础。
图5. 配体表面重构对AIGS量子点电学性能影响。
VI AIGS QLEDs器件性能与纪录突破
图6从器件层面验证了DSA策略的有效性:EL光谱保持31 nm的窄半峰宽且DAP抑制,证明表面重构具有电学稳定性;亮度达1219 cd m⁻²、启亮电压降至2.0 V,归因于导电性改善和缺陷降低;EQE达8.4%,创下AIGS体系QLED的效率纪录;T50寿命延长至5小时。综上,配体重构策略首次实现AIGS 体系QLEDs“高效率”与“高色纯度”的统一。
图6. 配体表面重构对AIGS QLED器件性能影响。
VII 总结
本研究通过引入多功能配体DSA,成功实现了对AIGS量子点表面态的有效重构,显著提升了其光致发光效率与色纯度,同时改善了电学输运性能,最终实现了8.4% EQE、31 nm FWHM的高性能QLED器件。这一成果不仅刷新了AIGS体系QLEDs的性能纪录,也为其他I-III-VI族无重金属量子点的表面工程提供了新思路。
未来,该策略有望推广至其他无重金属量子点体系,加快高效率、高色纯度的无重金属QLED迈向产业化的大门。
作者简介

本文通讯作者
▍主要研究成果
▍Email:songjizhong@zzu.edu.cn
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