众所周知,半导体产业技术壁垒高、研发投入大、周期长,东微电子一开始就聚焦高端靶材、光刻机零部件、核心设备三大主攻方向。
溅射靶材是芯片制造的核心材料,堪称连接数百亿晶体管的“纳米级导线”,纯度要求99.95%以上,长期被日美企业垄断。
赵泽良告诉记者,由公司自主研发的钌靶材可满足3—5nm先进制程,是国内唯一突破国外壁垒的同类产品,也是下一代 MRAM 存储器关键材料;曾被日本垄断的镁靶材实现量产后,如今彻底改变国内企业议价被动局面。
目前,东微电子MRAM系列靶材市占率全国第一,钴铁硼靶、氧化镁靶等批量供货头部厂商,其中钴铁硼靶为国内独家量产。
在材料突破基础上,东微电子向核心零部件延伸,攻坚光刻机、刻蚀机等“卡脖子”零部件。
其中,有东微电子研发的光刻机直线电机实现纳米级磁悬浮移动,打破进口垄断并成为阿斯麦国内唯一配套供应商;光刻机光源、直线电机、刻蚀机反应腔体等数百种零部件通过头部晶圆厂认证,批量进入供应链并拉低进口产品价格。
按照初期规划,东微电子计划2025年启动设备布局,凭借技术积累与产业协同,2022年就迈入半导体设备制造领域。
“以二手设备改造为起点,低成本适配国内产线,当前设备业务营收占比超50%。公司已具备炉管、CVD等前道核心设备研发制造能力,炉管设备零部件国产化率达95%,标志着国产半导体装备领域实现重大突破。”赵泽良说。